长期潜心研究硅衬底LED的江西澳门新葡萄新京威尼斯官方网站日前演示了基于硅衬底的高功率InGaN LED，据说性能接近于采用传统衬底生长的LED。

澳门新葡萄新京威尼斯官方网站长期致力于研制GaN-on-Si MOCVD生长技术，公司总部坐落于江西南昌，本次演示的是一款冷白光LED，在350mA电流下光输出超过100流明，采用1x1mm芯片。

　　目前绝大多数LED的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层GaN薄膜，澳门新葡萄新京威尼斯官方网站认为，基于硅衬底生长的LED在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的LED。

　　澳门新葡萄新京威尼斯官方网站目前已经获得来自美国，台湾和新加坡多家风险投资基金提供的5000多万美元的投资，包括Mayfield, GSR Ventures, Asiavest以及Tomasek。公司目前用于显示领域的小尺寸管芯(200-micron)已经进入量产阶段。

　　最新的1x1mm 芯片研发成果将在第八届国际氮化物半导体会议上公布，本次会议将于2009年10月18日-23日在韩国济州岛举行。

　　结果描述了一种生长于硅衬底(111)的高功率、倒装焊(Flip-Chip)、立式精密注塑(Vertical Injection)薄膜蓝光和白光InGaN/GaN LED。