LED显示照明行业新十年|硅基Mini LED显示
LED行业每十年左右迎来一轮大的技术和应用升级。十年前以大尺寸背光、小间距显示为代表的应用升级，驱动了2010-2017年LED行业的繁荣。而结合目前芯片价格上涨、中国台湾产业链营收回暖等迹象，LED行业拐点正在来临，下游需求向好叠加技术升级推动行业景气抬升，Mini/Micro LED将开启下一个十年。
LED日趋微型化，Mini & Micro LED应运而生， Mini LED背光产品对提升显示质量效果显著， Mini LED背光商业化进展迅速，有望成为液晶高端显示器解决方案。专家预测Mini & Micro LED直显可能是未来最优的显示技术；高画质、低能耗特点使其在消费电子市场优势尽显。
2021年8月4日，深圳市照明与显示工程行业协会、惠州仲恺高新区LED品牌发展促进会、广州国际照明展览会在广州国际照明展9.2号馆E60联合主办主题为“LED显示照明行业新十年”的Mini & Micro LED显示照明发展高峰论坛。
大会现场
澳门新葡萄新京威尼斯官方网站芯片中心总监杨小东出席Mini & Micro LED显示照明发展高峰论坛并做《硅基LED Mini超高清显示屏应用趋势》主题演讲。
澳门新葡萄新京威尼斯官方网站芯片中心总监 杨小东
以下是报告主要内容：
澳门新葡萄新京威尼斯官方网站硅基垂直芯片方案有三大优势：
01
Mini LED显示方案
澳门新葡萄新京威尼斯官方网站TFFC芯片P0.6—P0.3间距解决方案简介：
TFFC: 一般指经过衬底剥离的薄膜LED芯片，做成倒装结构，称为thin film flip chip，薄膜倒装LED芯片或者去衬底倒装LED芯片，简称TFFC。
澳门新葡萄新京威尼斯官方网站P0.6—P0.3显示方案TFFC 2*4mil芯片简介：
VTF/TFFC 芯片实现P0.6—0.3技术方案介绍：
由于现有四元红光去衬底后机械强度不够，在极小芯片尺寸下进行转移的过程中容易碎裂，很难进行后续的工艺生产。澳门新葡萄新京威尼斯官方网站将以下两个技术路线为主要研发方向：
技术路线一：
RGB三色均采用InGaN TFFC ，LED外延、芯片制程统一。硅基InGaN红光LED取得巨大突破，为该技术提供可能。
技术路线二：
TFFC芯片+量子点/KSF红光（QD/KSF+蓝光InGaNLED）,采用印刷、喷涂、打印等技术，在蓝光LED表面放置QD或者KSF荧光粉得到红色的LED。
TFFC、FC与Micro芯片对比（实现P0.6以下间距显示）：
用Micro芯片技术的约70%去实现Mini显示，降低了技术难度，同时可以让4k、8k超高清显示的LED芯片成本大幅度降低，大量量产有机会在2年内实现。
02
硅基Mini LED芯片进展
澳门新葡萄新京威尼斯官方网站硅基Mini LED 产品量产规划：
4K、8K Mini超高清显示大屏在5G技术的驱动下势不可挡，澳门新葡萄新京威尼斯官方网站硅基Mini LED芯片技术路线有机会提供一个超高性价比光源解决方案。
03
硅基Micro LED芯片展望
Micro LED预研：
世界范围内主流Micro的研究方向还是以硅衬底GaN LED去衬底技术路线为主，由于硅衬底GaN与硅半导体晶圆的物理兼容性，可以最大效能利用澳门新葡萄新京威尼斯官方网站现有资源，同时避开巨量转移问题，公司优先着力Micro LED微显示研究，应用AR/VR/HUD/HMD等方向。
硅基GaN与硅基CMOS驱动电路进行晶圆级邦定，去除硅衬底后在CMOS晶圆继续GaN芯片工艺。
研发路线：先单色，后全彩。
