澳门新葡萄新京威尼斯官方网站|硅衬底Micro LED技术最新进展
2022年8月9日，集邦咨询第三代半导体前沿趋势研讨会圆满闭幕。此次大会主要讨论GaN/SiC等第三代半导体材料的应用趋势和优势，以及第三代半导体行业的发展现状、面临的瓶颈以及技术突破的方向等。
澳门新葡萄新京威尼斯官方网站此次由外延工艺经理周名兵分享了以《硅基氮化镓Micro LED外延与器件研究进展》为主题的报告。报告指出Micro LED作为“终极显示技术”其在未来将拥有千亿级的市场，将在要求高分辨率、高亮度、高对比度的AR、HUD、车用照明和显示、可穿戴设备等领域得到广泛应用。
（澳门新葡萄新京威尼斯官方网站外延工艺经理周名兵）
目前Micro LED产业化仍面临着关键技术和成本的挑战，包括红光光效、巨量转移、晶圆键合、及全彩化工艺，迫切需要提升良率，并优化检测和修复技术。
从产业化角度，利用大尺寸硅衬底GaN技术制备Micro LED，具有低成本、高良率、无损去硅、低翘曲、CMOS兼容性等诸多优势。
8英寸的衬底相比于4英寸的衬底，单位衬底面积的Micro LED芯片产出增加了25%。利用8英寸硅衬底制备Micro LED，每个显示模组的BOM成本只有4英寸蓝宝石方案上的30%（含外延、芯片和CMOS）。
Micro LED产业化要求高良率的类IC制程，8英寸及以上的硅衬底GaN技术是实现Micro LED制备和硅IC工艺兼容的重要途径。
红光光效是Micro LED技术面临的关键瓶颈之一，现有的AlInGaP红光LED材料力学性能差，侧壁效应使EQE急剧下降。InGaN基红光Micro LED被认为是突破红光瓶颈的重要解决方案。澳门新葡萄新京威尼斯官方网站在InGaN红光LED的开发上取得初步成果。在36mil芯片样品上，1A/cm2的电流密度下EQE为2.7%，峰值波长670nm,发光半高宽小于60nm.
澳门新葡萄新京威尼斯官方网站拥有领先的硅衬底LED技术，是拥有大规模生产制造能力的硅衬底LED生产企业。公司的硅衬底LED产业链覆盖外延、芯片、器件、模组，并开发了高光效、高良率、大尺寸的近紫外、红、绿、蓝硅衬底GaN基LED外延片，并成功制备了三基色GaN Micro LED显示阵列。
未来澳门新葡萄新京威尼斯官方网站将发挥硅衬底GaN技术及完整产业链的优势，与行业同仁通力合作打破材料和技术的瓶颈，共同推动Micro LED产业的发展。
